Технический прогресс и степень развитости отдельных стран определяется уровнем развития информационных технологий и микроэлектроники. Они определяют производительность труда и конкурентоспособность всех без исключения отраслей национальной промышленности, место, занимаемое страной в системе мирового разделения труда, а тем самым — и ее влияние в мире в целом.

В последнее время возрастает уровень разработок полупроводниковых приборов на основе полупроводниковых материалов. Как правило, успешное решение проблемы повышения качества и надежности таких приборов тесно связано с исследованием причин и механизмов отказов полупроводниковых приборов и совершенствованием на этой основе их конструкции и технологии.

К решению этой проблемы во всем мире привлекаются большие научные коллективы. Среди ученых, работающих в этом направлении, одно из ведущих мест занимает профессор Раиса Васильевна Конакова.
Раиса Васильевна Конакова — известный ученый в области физики полупроводниковых приборов и твердотельной СВЧ-электроники, доктор технических наук (1987 г), профессор (1991 г.), лауреат Государственной премии в области науки и техники (УССР 1985 г., Украины 1994 г).

Р.В. Конакова родилась 4 августа 1941 г. в с.Польцо Ковылкинского района Республики Мордовия (Российская Федерация) в семье служащих. В 1964 г. окончила электротехнический факультет Мордовского госуниверситета по специальности "диэлектрики и полупроводники" и три года работала технологом в полупроводниковом цехе и специальном конструкторском бюро (СКБ) завода "Электровыпрямитель" (г. Саранск). В 1967 г. поступила в целевую аспирантуру физико-технического института (ФТИ) им. А.Ф.Иоффе АН бывшего Союза. После успешной защиты кандидат¬ской диссертации в 1970 г. три года работала в научно-исследовательском институте (НИИ) "Орион" (г.Киев). С 1973 г. по настоящее время работает в Институте физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной Академии наук (НАН) Украины. С 1986 г. она возглавляет лабораторию физико-технологических проблем твердотельной сверхвысокочастотной (СВЧ) электроники, которая и сегодня выполняет задания, связанные с созданием высоконадежных микроволновых приборов различного назначения.

Научная деятельность Р.В.Конаковой связана с исследованиями лавинного пробоя в полупроводниковых диодах, физико-химических процессов на границах раздела фаз в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах и контактной металлизации. Известны работы Р.В.Конаковой по изучению влияния электромагнитного излучения, в том числе микроволнового, на дефектообразование и геттерирование в полупроводниковых приборных структурах, нашедших применение в разработке и внедрении радиационно-технических процессов, направленных на повышение качества и надежности СВЧ-диодов и транзисторов.

Наше знакомство с Р.В. Конаковой состоялось в феврале 1982 года. В это время в стенах Нукусского госуниверситета (ныне Каракалпакский госуниверситет им.Бердаха) по инициативе известного ученого, кандидата физико-математических наук, заслуженного деятеля науки Республики Каракалпакстан, доцента Мадрейма Ережепова было принято решение о создании проблемной лаборатории по научному направлению "Многослойные, варизонные и периодические полупроводниковые структуры". Для лаборатории необходимы были высококвалифицированные специалисты. В связи с этим в конце восьмидесятых годов прошлого века многие молодые специалисты, окончившие Ташкентский и Нукусский госуниверситеты, были направлены в Москву, Санкт-Петербург, Киев и ряд других крупных городов сначала на двухгодичную стажировку, а в дальнейшем — для поступления в целевую аспирантуру. По воле судьбы среди них оказался и автор этих строк. Во время выпускной дипломной работы мне пришлось ознакомиться с научными работами Р.В.Конаковой и появилось желание попасть в институт полупроводников АН Украины, где работала она. Многие физики — кандидаты и доктора наук по физике полупроводников и диэлектриков, работающие в КГУ имени Бердаха — выходцы из вышеназванного института. В разные годы здесь стажировались Марат Тагаев — доктор технических наук, профессор, работающий ныне проректором по научной работе КГУ им.Бердаха, кандидат технических наук, доцент Калнияз Даулетов, кандидаты физико-математических наук Виктор Статов, заведующий кафедрой физики полупроводников Амангелди Камалов, буквально на днях защитивший свою докторскую диссертацию, а также Мурат Шарибаев, Сапарбай Бекбергенов, Махсуд Насыров и Аккумис Атаубаева.

Ее ученики из США, России, Словакии, Венгрии, Украины, Азербайджана сегодня трудятся в престижных вузах этих государств.

В качестве стажера-исследователя я работал в отделе №18 (отдел полупроводниковых гетеросистем), возглавлял который лауреат Госпремии Украины, доктор физико-математических наук, профессор Юрий Александрович Тхорик. Тогда там работало три научные группы. Одну из них возглавляла Р.В.Конакова. Хочу особо отметить ее трудолюбие, необычайную целеустремленность, оптимизм, оперативность и ряд других качеств, которые украшают человека. Под непосредственным руководством Р.В.Конаковой нами были исследованы процессы деградации лавинно-пролетных диодов и влияние различных технологических приемов и обработок на надежность и выходные параметры таких приборов. Создана уникальная, оригинальная аппаратура для прогнозирования надежности полупроводниковых диодов по тонкой структуре вольтамперных характеристик (ВАХ), который не имеет аналогов за рубежом. В настоящее время данная аппаратура "МОДУЛЬ-2" функционирует на кафедре физики полупроводников КГУ им.Бердаха. Результаты исследований сотрудников лаборатории физико-технологических проблем твердотельной СВЧ-электроники получили широкое признание как в странах СНГ, так и за рубежом.

Профессор Р.В.Конакова — автор и соавтор более 400 научных статей, 30 авторских свидетельств на изобретения и патенты, 11 монографий, часть которых написана в соавторстве с болгарскими, словацкими, российскими, узбекскими, каракалпакскими учеными. Она ведет большую педагогическую и организационную работу. Под ее руководством подготовлено 15 кандидатских и 3 докторских диссертации, 5 из них — кандидаты и 3 — доктора наук для Каракалпакского госуниверситета им. Бердаха.

Р.В. Конакова является членом редколлегии научно-технического сборника "Оптоэлектроника и полупроводниковая техника" и международного научного журнала "Физика полупроводников, квантовая электроника и оптоэлектроника", членом оргкомитетов украинских и ряда других международных профильных научных конференций.

Мы, коллеги, соратники и ученики Раисы Васильевны Конаковой, от всей души поздравляем ее с юбилеем и желаем доброго здоровья, счастья ее семье и успехов в нелегком, но благородном научном труде.

К.ИСМАЙЛОВ,
профессор, доктор физико-математических наук.